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器件3D模型
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LM5110-3SD 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
WDFN-10
描述:
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
Pictures:
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LM5110-3SD 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
10 Pin
电源电压
14.0V (max)
封装
WDFN-10
上升/下降时间
14ns, 12ns
输出接口数
2 Output
输出电流
5 A
静态电流
1.00 mA
上升时间
25 ns
下降时间
25 ns
下降时间(Max)
25 ns
上升时间(Max)
25 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
电源电压
3.5V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
3.5 V
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LM5110-3SD 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4 mm
宽度
4 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)
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LM5110-3SD 符合标准
LM5110-3SD 概述
●
低端 栅极驱动器 IC 反相,非反相 10-WSON(4x4)
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具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125
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LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-3MX
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TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-3M
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TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-3M/NOPB
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National Semiconductor(美国国家半导体)
LM5110-3SDX
数据手册
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-3SD/NOPB
数据手册
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