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LPC661IM/NOPB
器件3D模型
1.482
LPC661IM/NOPB 数据手册 (15 页)
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LPC661IM/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
供电电流
58 µA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
共模抑制比
63 dB
增益频宽积
350 kHz
输入补偿电压
1000 µV
输入偏置电流
0.002 pA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
0.35 MHz
电源电压(Max)
15.5 V
电源电压(Min)
4.75 V

LPC661IM/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 85℃

LPC661IM/NOPB 数据手册

National Semiconductor(美国国家半导体)
15 页 / 0.34 MByte

LPC661 数据手册

National Semiconductor(美国国家半导体)
低功耗CMOS运算放大器 Low Power CMOS Operational Amplifier
TI(德州仪器)
低功耗 CMOS 运算放大器
TI(德州仪器)
TI(德州仪器)
运算放大器 - 运放 Obsolete, LTB expires Nov-02-2017
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LPC661IM  运算放大器, 单路, 350 kHz, 1个放大器, 0.11 V/µs, 4.75V 至 15.5V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
低功耗CMOS运算放大器 Low Power CMOS Operational Amplifier
National Semiconductor(美国国家半导体)
National Semiconductor(美国国家半导体)
低功耗CMOS运算放大器 Low Power CMOS Operational Amplifier
National Semiconductor(美国国家半导体)
低功耗CMOS运算放大器 Low Power CMOS Operational Amplifier
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