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器件3D模型
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M25P80-VMW6G 数据手册 - Micron(镁光)
制造商:
Micron(镁光)
分类:
Flash芯片
封装:
WSOIC-8
描述:
MICRON M25P80-VMW6G 闪存, 低电压, 8 Mbit, 1M x 8位, 75 MHz, 串行, SPI, WSOIC, 8 引脚
Pictures:
3D模型
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引脚图
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M25P80-VMW6G 数据手册 (52 页)
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M25P80-VMW6G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
WSOIC-8
供电电流
15 mA
针脚数
8 Position
时钟频率
75 MHz
位数
8 Bit
内存容量
1000000 B
存取时间(Max)
8 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V
查看数据手册 >
M25P80-VMW6G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
查看数据手册 >
M25P80-VMW6G 符合标准
M25P80-VMW6G 海关信息
M25P80-VMW6G 概述
●
M25P80-VMW6G是一款8MB (1Mb x 8)串行闪存嵌入式存储器件, 8引脚NSOIC封装. 该器件具有先进的写入保护机制, 可通过高速SPI兼容总线进行访问. 该器件支持高达75MHz时钟频率的高性能命令. 存储器可以使用PAGE PROGRAM指令, 每次可编程1至256字节. 该存储器被组织为16个扇区, 每个扇区256页, 每页为256个字节. 存储器可以被视为4096页或1,048,576 byte. 整个存储器可以使用BULK ERASE指令清除, 也可以使用SECTOR ERASE指令清除单个扇区.
●
单电源电压范围: 2.7V至3.6V
●
页编程 (最多256字节), 0.64ms
●
0.6s扇区清除512KB
●
批量擦除8MB, 8s
●
硬件写入保护, 保护区大小由非易失性位BP0, BP1, BP2定义
●
深度关断1µA
●
JEDEC标准2字节签名 (2014h)
●
每个扇区超过100000次写入, 数据保存超过20年
●
工作温度范围为-40°C至+ 85°C
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