器件3D模型

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M29DW323DT70ZE6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TFBGA

描述:

32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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焊盘图

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M29DW323DT70ZE6 数据手册 (51 页)

封装尺寸在31 页 32 页

典型应用电路图在5 页 10 页

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M29DW323DT70ZE6 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TFBGA

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M29DW323DT70ZE6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

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M29DW323DT70ZE6 符合标准

M29DW323DT70ZE6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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MICRON M29DW323DT70N6E 闪存, 引导块, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚

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ST Microelectronics（意法半导体）

32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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Micron（镁光）

MICRON M29DW323DT70ZE6E 闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚

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32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory

M29DW323DT70ZE6 数据手册

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32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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