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Datasheet 搜索 > 存储芯片 > ST Microelectronics(意法半导体) > M29W400DB70N6 Datasheet 文档
M29W400DB70N6
器件3D模型
0

M29W400DB70N6 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TSOP-48
存取时间
70.0 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

M29W400DB70N6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray

M29W400DB70N6 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
39 页 / 0.27 MByte

M29W400DB70 数据手册

Micron(镁光)
MICRON  M29W400DB70N6E  闪存, 引导块, 非, 4 Mbit, 512K x 8位 / 256K x 16位, 并行, TSOP, 48 引脚
Micron(镁光)
NOR闪存 M29W400DB70ZE6E BGA48
ST Microelectronics(意法半导体)
4兆位( 512 KB ×8或256 KB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
ST Microelectronics(意法半导体)
4兆位( 512KB ×8或256Kb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
Micron(镁光)
ST Microelectronics(意法半导体)
4兆位( 512 KB ×8或256 KB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
Micron(镁光)
Micron(镁光)
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