M29W400DB70ZE6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TFBGA

描述:

4兆位（ 512KB ×8或256Kb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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焊盘图

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M29W400DB70ZE6E 数据手册 (48 页)

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M29W400DB70ZE6E 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TFBGA

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M29W400DB70ZE6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

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M29W400DB70ZE6E 符合标准

M29W400DB70ZE6E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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M29W400DB70ZE6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

4兆位（ 512 KB ×8或256 KB ×16 ，引导块） 3 V电源闪存 4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory

M29W400DB70ZE6E 数据手册

Micron（镁光）

NOR闪存 M29W400DB70ZE6E BGA48

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ST Microelectronics（意法半导体）

4兆位（ 512KB ×8或256Kb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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