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M29W400DT55N6F 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
存储芯片
封装:
TSSOP
描述:
4兆位( 512 KB ×8或256 KB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
M29W400DT55N6F 数据手册 (38 页)
封装尺寸
在
26 页
27 页
28 页
29 页
典型应用电路图
在
5 页
10 页
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M29W400DT55N6F 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
48 Pin
封装
TSSOP
存取时间
55.0 ns
内存容量
4000000 B
查看数据手册 >
M29W400DT55N6F 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
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M29W400DT55N6F 数据手册
M29W400DT55N6F
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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M29W400DT55N6 数据手册
M29W400DT55N6
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
4兆位( 512 KB ×8或256 KB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DT55N6
数据手册
Micron(镁光)
M29W400DT55N6
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Numonyx
M29W400DT-55N6
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
M29W400DT55N6
E
数据手册
Micron(镁光)
M29W400DT55N6
E
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ST Microelectronics(意法半导体)
4兆位( 512KB ×8或256Kb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DT55N6
F
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Micron(镁光)
M29W400DT55N6
E
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Numonyx
M29W400DT55N6
F
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
4兆位( 512 KB ×8或256 KB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DT55N6
F TR
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