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M29W400DT70ZE6E 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
Flash芯片
封装:
TFBGA-48
描述:
4兆位( 512KB ×8或256Kb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
M29W400DT70ZE6E 数据手册 (39 页)
封装尺寸
在
26 页
27 页
28 页
29 页
典型应用电路图
在
5 页
10 页
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M29W400DT70ZE6E 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TFBGA-48
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V
查看数据手册 >
M29W400DT70ZE6E 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray
工作温度
40℃ ~ 85℃
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M29W400DT70ZE6E 符合标准
M29W400DT70ZE6E 数据手册
M29W400DT70ZE6E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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M29W400DT70ZE6 数据手册
M29W400DT70ZE6
E
数据手册
Micron(镁光)
NOR闪存 M29W400DT70ZE6E TFBGA-48
M29W400DT70ZE6
E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
4兆位( 512KB ×8或256Kb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DT70ZE6
F TR
数据手册
Micron(镁光)
M29W400DT70ZE6
F
数据手册
Micron(镁光)
M29W400DT70ZE6
T
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
4兆位( 512 KB ×8或256 KB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
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