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M93S56-WBN6P 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

存储芯片

封装:

DIP-8

描述:

4k位， 2Kbit和1K位， 16位宽的MICROWIRE串行EEPROM的访问与块保护 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

M93S56-WBN6P 数据手册 (32 页)

封装尺寸在5 页 27 页 28 页 29 页

典型应用电路图在5 页

M93S56-WBN6P 数据手册 (32 页)

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M93S56-WBN6P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

DIP-8

电源电压

2.5V ~ 5.5V

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M93S56-WBN6P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 85℃ (TA)

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M93S56-WBN6P 符合标准

M93S56-WBN6P 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

32 页 / 0.53 MByte

M93S56WBN6 数据手册

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4k位， 2Kbit和1K位， 16位宽的MICROWIRE串行EEPROM的访问与块保护 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection

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4k位， 2Kbit和1K位， 16位宽的MICROWIRE串行EEPROM的访问与块保护 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection

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