器件3D模型

￥ 0.112

MC100EP11DR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

时钟缓冲器、驱动器、锁相环

封装:

SOIC-8

描述:

ON SEMICONDUCTOR MC100EP11DR2G 芯片, 缓冲器, ECL 1:2 差分扇出

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MC100EP11DR2G 数据手册 (12 页)

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封装尺寸在10 页 11 页 12 页

典型应用电路图在2 页

MC100EP11DR2G 数据手册 (12 页)

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MC100EP11DR2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

3 GHz

引脚数

8 Pin

电源电压

3.00V (min)

封装

SOIC-8

无卤素状态

Halogen Free

输出接口数

2 Output

供电电流

35.0 mA

电路数

1 Circuit

针脚数

8 Position

最大占空比

50 %

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

3V ~ 5.5V

电源电压(Max)

5.5 V

电源电压(Min)

3 V

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MC100EP11DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Cut Tape (CT)

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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MC100EP11DR2G 符合标准

MC100EP11DR2G 海关信息

MC100EP11DR2G 概述

MC100EP11DR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.16 MByte

MC100EP11DR2G 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.06 MByte

MC100EP11DR2G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

37 页 / 0.33 MByte

MC100EP11DR2G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.05 MByte

MC100EP11DR2G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

20 页 / 0.87 MByte

MC100EP11DR2G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.58 MByte

MC100EP11DR2 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

？ 3.3V / 5V ECL 1 ： 2差分扇出缓冲器 3.3V / 5VECL 1:2 Differential Fanout Buffer

MC100EP11DR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MC100EP11DR2G 芯片, 缓冲器, ECL 1:2 差分扇出

MC100EP11DR2GH 数据手册

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