MGSF1N03LT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.10Ω/Ohm @1.2A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.4V 耗散功率Pd Power Dissipation| 730mW/0.73W Description & Applications| Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc−dc converters and power management in portable and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones. • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available 描述与应用| 功率MOSFET 2.1 V，30 A单N沟道，SOT-23 这些微型表面贴装MOSFET的低RDS（ON）保证 最小的功率损耗，节约能源，使这些设备的理想选择 使用空间敏感的电源管理电路。典型 应用的DC-DC转换器，在便携式电源管理 和电池供电产品，如电脑，打印机，PCMCIA 卡，手机和无绳电话。 •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用