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MGSF1N03LT3
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MGSF1N03LT3 数据手册 (5 页)
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MGSF1N03LT3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
1.60 A
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
125 mΩ
极性
N-Channel
功耗
420mW (Ta)
输入电容
140 pF
栅电荷
6.00 µC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.10 A
输入电容值(Ciss)
140pF @5V(Vds)
耗散功率(Max)
420mW (Ta)

MGSF1N03LT3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MGSF1N03LT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.06 MByte

MGSF1N03 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N03LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的30 V , 2.1 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
2.1A,30V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的30 V , 2.1 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
Motorola(摩托罗拉)
Motorola(摩托罗拉)
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