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MJ14003G
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MJ14003G 数据手册 (5 页)
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MJ14003G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-204-2
极性
PNP
功耗
300 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
60A
最小电流放大倍数
30
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃

MJ14003G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray
长度
38.86 mm
宽度
26.67 mm
高度
8.51 mm

MJ14003G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.08 MByte

MJ14003 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补颖电TRANSITORS COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS
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ON Semiconductor(安森美)
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