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MJB44H11
7.778
MJB44H11 数据手册 (6 页)
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MJB44H11 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
10.0 A
封装
TO-263-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
40 @4A, 1V
额定功率(Max)
2 W

MJB44H11 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
800

MJB44H11 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.1 MByte

MJB44 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJB44H11G.  功率晶体管, NPN, 80V, D2-PAK
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJB44H11T4G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 50 W, 10 A, 40 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 W, 10 A, 40 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管D2PAK的表面贴装 Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
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