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MJB45H11T4
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MJB45H11T4 数据手册 (6 页)
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MJB45H11T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-10.0 A
封装
D2PAK
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
10A

MJB45H11T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape

MJB45H11T4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.15 MByte

MJB45H11 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11T4G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 40 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11G.  功率晶体管, PNP, -80V, D2-PAK
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
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