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MJD112T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS MJD112T4 单晶体管双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MJD112T4 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页 8 页

MJD112T4 数据手册 (10 页)

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MJD112T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

2.00 A

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

20 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

最小电流放大倍数

1000 @2A, 3V

额定功率(Max)

20 W

直流电流增益(hFE)

1000

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

增益带宽

25MHz (Min)

耗散功率(Max)

20000 mW

查看数据手册 >

MJD112T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

MJD112T4 符合标准

MJD112T4 海关信息

MJD112T4 概述

MJD112T4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.37 MByte

MJD112T4 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.11 MByte

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