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MJD253-001
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MJD253-001 数据手册 (8 页)
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MJD253-001 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-4.00 A
封装
TO-251-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
40 @200mA, 1V
额定功率(Max)
1.4 W

MJD253-001 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJD253-001 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.15 MByte
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