Web Analytics
Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ST Microelectronics(意法半导体) > MJD2955T4 Datasheet 文档
MJD2955T4
0.39
MJD2955T4 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

MJD2955T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
2 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-10.0 A
封装
TO-252-3
极性
PNP
功耗
20 W
增益频宽积
2 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
最小电流放大倍数
20 @4A, 4V
最大电流放大倍数
100
额定功率(Max)
20 W
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃
耗散功率(Max)
20000 mW

MJD2955T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

MJD2955T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
6 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.14 MByte

MJD2955 数据手册

CJ(长电科技)
三极管(晶体管) MJD2955 TO-252-2L(4R) 20-100
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
通用放大器低速切换应用D- PAK表面贴装应用 General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications
ST Microelectronics(意法半导体)
互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Motorola(摩托罗拉)
Galaxy Semi-Conductor
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
Micro Commercial Components(美微科)
Samsung(三星)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z