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MJE13009G
0.53
MJE13009G 数据手册 (10 页)
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MJE13009G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
4 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
400 V
额定电流
12.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
100 W
极性
NPN
功耗
100 W
击穿电压(集电极-发射极)
400 V
集电极最大允许电流
12A
最小电流放大倍数
8
最大电流放大倍数
40
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
100000 mW

MJE13009G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.28 mm
宽度
4.82 mm
高度
9.28 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJE13009G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.27 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MJE13009 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS
UTC(友顺)
NPN硅晶体管
Freescale(飞思卡尔)
ST Microelectronics(意法半导体)
硅NPN开关晶体管 SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR
Fairchild(飞兆/仙童)
Motorola(摩托罗拉)
Central Semiconductor
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
NXP(恩智浦)
Toshiba(东芝)
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