￥ 20.45

MJE5851G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MJE5851G 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

MJE5851G 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MJE5851G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-350 V

额定电流

-8.00 A

封装

TO-220-3

极性

PNP

功耗

80 W

击穿电压(集电极-发射极)

350 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

5 @5A, 5V

额定功率(Max)

80 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

查看数据手册 >

MJE5851G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.53 mm

宽度

4.83 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

MJE5851G 符合标准

MJE5851G 海关信息

MJE5851G 概述

MJE5851G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.09 MByte

MJE5851G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.24 MByte

MJE5851 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS

MJE5851 数据手册

New Jersey Semiconductor

Freescale（飞思卡尔）

Motorola（摩托罗拉）

Iskra

ON Semiconductor（安森美）

8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号