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MJE702STU
0.34
MJE702STU 数据手册 (4 页)
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MJE702STU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-126-3
极性
PNP
功耗
40000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
750 @1.5A, 3V
额定功率(Max)
40 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
40000 mW

MJE702STU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Rail
高度
11.2 mm
工作温度
150℃ (TJ)

MJE702STU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.05 MByte

MJE702 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4.0安培达林顿功率晶体管互补硅40瓦50瓦 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJE702G  双极晶体管
Fairchild(飞兆/仙童)
Central Semiconductor
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