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MJE803T
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MJE803T 数据手册 (1 页)
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MJE803T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
4A

MJE803T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

MJE803T 数据手册

Central Semiconductor
1 页 / 0.03 MByte

MJE803 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
达林顿功率晶体管互补 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY
Central Semiconductor
Advanced Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
硅NPN功率达林顿晶体管 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS
Fairchild(飞兆/仙童)
整体结构采用内置基地 - 发射极电阻 Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
Samsung(三星)
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
Inchange Semiconductor
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