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MJW21191G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

8.0 A功率晶体管互补硅150伏， 125瓦 8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJW21191G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

MJW21191G 数据手册 (6 页)

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MJW21191G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

-150 V

额定电流

-4.00 A

封装

TO-247-3

极性

PNP, P-Channel

击穿电压(集电极-发射极)

150 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

15 @4A, 2V

额定功率(Max)

125 W

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MJW21191G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJW21191G 符合标准

MJW21191G 海关信息

MJW21191G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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