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MKE38RK600DFELB-TRR
21.19
MKE38RK600DFELB-TRR 数据手册 (6 页)
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MKE38RK600DFELB-TRR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
ISOPLUS-SMPD
极性
N-CH
功耗
-
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
50A
输入电容值(Ciss)
6800pF @100V(Vds)

MKE38RK600DFELB-TRR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MKE38RK600DFELB-TRR 数据手册

IXYS Semiconductor
6 页 / 0.32 MByte

MKE38RK600 数据手册

IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS CoolMOS™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
N沟道 600V 50A
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