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MLD2N06CLT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

SMARTDISCRETES TM MOSFET 2安培， 62伏特，逻辑电平N沟道DPAK SMARTDISCRETES TM MOSFET 2 Amp, 62 Volts, Logic Level N−Channel DPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MLD2N06CLT4G 数据手册 (7 页)

封装尺寸在7 页

典型应用电路图在6 页

MLD2N06CLT4G 数据手册 (7 页)

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MLD2N06CLT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

62.0 V

额定电流

2.00 A

封装

TO-252-3

输出接口数

1 Output

漏源极电阻

400 mΩ

极性

N-Channel

功耗

40 W

漏源极电压(Vds)

62.0 V

漏源击穿电压

62.0 V

栅源击穿电压

±10.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.00 A

上升时间

3 ns

下降时间

3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-50 ℃

耗散功率(Max)

40000 mW

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MLD2N06CLT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-50℃ ~ 150℃ (TJ)

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MLD2N06CLT4G 符合标准

MLD2N06CLT4G 海关信息