￥ 0.078

MMBF0201NLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MMBF0201NLT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBF0201NLT1G 数据手册 (5 页)

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MMBF0201NLT1G 数据手册 (5 页)

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MMBF0201NLT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

300 mA

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.75 Ω

极性

N-Channel

功耗

225 mW

阈值电压

1.7 V

输入电容

45.0 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

62 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

300 mA

上升时间

2.5 ns

输入电容值(Ciss)

45pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

225 mW

下降时间

0.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

225mW (Ta)

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MMBF0201NLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBF0201NLT1G 符合标准

MMBF0201NLT1G 海关信息