●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.5Ω @200mA,10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.4V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SC−70/SOT−323 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SC-70/SOT-323表面贴装封装的节省电路板空间 •无铅包装是可用
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor（安森美）
17 页 / 0.27 MByte
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 300毫安， 20伏P沟道SC- 70 / SOT- 323 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts P−Channel SC−70/SOT−323
ON Semiconductor（安森美）
-0.3A,-20V,P沟道功率MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
器件3D模型
