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MMBT5088LT1
0.016
MMBT5088LT1 数据手册 (5 页)
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MMBT5088LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
50.0 A
封装
SOT-23-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.05A
最小电流放大倍数
300 @100µA, 5V
额定功率(Max)
300 mW

MMBT5088LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT5088LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte

MMBT5088 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
MMBT5088系列 30 V CE击穿 0.1 A NPN 通用 放大器 - SOT-23
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5088  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 350 mW, 100 mA, 300 hFE
UTC(友顺)
NPN 型通用放大器
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Samsung(三星)
LiteOn(光宝)
TI(德州仪器)
Freescale(飞思卡尔)
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