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MMBT5089LT1
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MMBT5089LT1 数据手册 (5 页)
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MMBT5089LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
50.0 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
225 mW
增益频宽积
50 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
集电极最大允许电流
0.05A
最小电流放大倍数
400 @100µA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

MMBT5089LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT5089LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.08 MByte

MMBT5089 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5089  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 50 MHz, 350 mW, 100 mA, 400 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MMBT5089 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=25 V, HFE:400, 50 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Motorola(摩托罗拉)
LiteOn(光宝)
Leshan Radio(乐山无线电)
UTC(友顺)
NPN 型通用放大器
Freescale(飞思卡尔)
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
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