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MMBT6517LT1
0.028
MMBT6517LT1 数据手册 (5 页)
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MMBT6517LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
350 V
额定电流
500 mA
封装
SOT-23
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
350 V
集电极最大允许电流
0.1A

MMBT6517LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)

MMBT6517LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.08 MByte

MMBT6517 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
MMBT6517 NPN三极管 350V 500mA/0.5A 20~200 300mV/0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 1Z 高电压晶体管
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
Micro Commercial Components(美微科)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT6517LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 350 V, 200 MHz, 225 mW, 100 mA, 15 hFE
ON Semiconductor(安森美)
高压晶体管 High Voltage Transistor
ON Semiconductor(安森美)
高压晶体管( NPN硅) High Voltage Transistor(NPN Silicon)
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