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MMBT8099LT1
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MMBT8099LT1 数据手册 (5 页)
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MMBT8099LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
100 @1mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW

MMBT8099LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT8099LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
26 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.08 MByte

MMBT8099 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN Silicon
ON Semiconductor(安森美)
Motorola(摩托罗拉)
Motorola(摩托罗拉)
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