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MMBT918LT1
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MMBT918LT1 数据手册 (3 页)
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MMBT918LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
15.0 V
额定电流
50.0 mA
封装
SOT-23-3
功耗
225 mW
输入电容
2pF (Max)
增益频宽积
600 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
15 V
增益
11 dB
最小电流放大倍数
20 @3mA, 1V
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT918LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT918LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.08 MByte

MMBT918 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MMBT918 , NPN 晶体管, 50 mA, Vce=15 V, HFE:20, 600 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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