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Datasheet 搜索 > 二极管 > Nexperia(安世) > MMBZ10VAL,215 Datasheet 文档
MMBZ10VAL,215
0.032
MMBZ10VAL,215 数据手册 (18 页)
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MMBZ10VAL,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
工作电压
900 mV
电容
170 pF
封装
SOT-23-3
击穿电压
10 V
通道数
2 Channel
针脚数
3 Position
功耗
0.36 W
钳位电压
14.2 V
脉冲峰值功率
24 W
最小反向击穿电压
9.5 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
150 ℃
耗散功率(Max)
360 mW

MMBZ10VAL,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMBZ10VAL,215 数据手册

Nexperia(安世)
18 页 / 0.59 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte

MMBZ10 数据手册

Diodes(美台)
MMBZ10VAL 系列 24W 功率 双 表面贴装 单向 TVS 二极管 - SOT-23
Nexperia(安世)
MMBZ10VAL 系列 6.5 V 130 pF 单向 双通道 ESD 保护 二极管 - SOT23
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 6.5 V, 14.2 V, SOT-23, 3 引脚
Diodes(美台)
NXP(恩智浦)
MMBZ10VAL 系列 6.5 V 130 pF 单向 双通道 ESD 保护 二极管 - SOT23
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, 单向, 6.5 V, 14.2 V, SOT-23, 3 引脚
NXP(恩智浦)
NXP  MMBZ10VAL  静电保护装置, TVS, 14.2 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mW
ON Semiconductor(安森美)
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Nexperia(安世)
静电保护装置, TVS, 14.2 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mW
Diodes Zetex(捷特科)
40W 双瞬态电压抑制器,MMBZ 系列,Diodes Inc 瞬态电压抑制器,Diodes Inc
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