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MMBZ12VALT116
0.027
MMBZ12VALT116 数据手册 (7 页)
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MMBZ12VALT116 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
通道数
2 Channel
针脚数
3 Position
钳位电压
17 V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
12.6 V
脉冲峰值功率
40 W
最小反向击穿电压
11.4 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
150 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBZ12VALT116 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

MMBZ12VALT116 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 0.07 MByte

MMBZ12 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ12VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚
Nexperia(安世)
MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
Nexperia(安世)
MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
ON Semiconductor(安森美)
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚
NXP(恩智浦)
MMBZ 系列、低电容双路 ESD 保护二极管单向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,共阳极配置,采用 SOT23 (TO-236AB) 小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装。### 瞬态电压抑制器,NXP
NXP(恩智浦)
MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚
NXP(恩智浦)
MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
Nexperia(安世)
MMBZ 系列,低电容双路 ESD 保护二极管,Nexperia单向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,共阳极配置,采用 SOT23 (TO-236AB) 小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装。### 瞬态电压抑制器,Nexperia
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