￥ 0.042

MMBZ20VALT116 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

二极管

封装:

SOT-23-3

描述:

TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MMBZ20VALT116 数据手册 (11 页)

典型应用电路图在8 页

MMBZ20VALT116 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MMBZ20VALT116 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

击穿电压

20 V

通道数

2 Channel

针脚数

3 Position

功耗

40 W

钳位电压

28 V

测试电流

1 mA

最大反向击穿电压

21 V

脉冲峰值功率

40 W

最小反向击穿电压

19 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

工作结温

150 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

查看数据手册 >

MMBZ20VALT116 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

查看数据手册 >

MMBZ20VALT116 符合标准

MMBZ20VALT116 概述

MMBZ20VALT116 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

11 页 / 1.41 MByte

MMBZ20VALT116 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

38 页 / 0.32 MByte

MMBZ20 数据手册

MMBZ20VALT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器特别适用于自动插入低泄漏

MMBZ20VAL,215 数据手册

Nexperia（安世）

ESD 保护二极管 NXP MMBZ20VAL,215 单向, 40W, 28V, 3针 SOT-23封装

MMBZ20VAL-7-F 数据手册

Diodes（美台）

MMBZ20VAL 系列 40 W 20 V 表面贴装单向 TVS 二极管 - SOT-23

MMBZ20VCL,215 数据手册

Nexperia（安世）

静电保护装置, TVS, 28 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 350 mW, MMBZ2 Series

MMBZ20VAL,215 数据手册

NXP（恩智浦）

MMBZ10VAL 系列 17 V 65 pF 单向双通道 ESD 保护二极管 - SOT23

MMBZ20VALT116 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 引脚

MMBZ20VALT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

MMBZ20VAL-7 数据手册

Diodes（美台）

ESD 抑制器/TVS 二极管 20V 225mW

MMBZ20VCL,215 数据手册

NXP（恩智浦）

MMBZ20VAWT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

MMBZ27VAW: 齐纳保护，40 瓦峰值功率

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号