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MMBZ27VALT3G
0.024
MMBZ27VALT3G 数据手册 (7 页)
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MMBZ27VALT3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
击穿电压
25.65 V
通道数
2 Channel
功耗
40 W
钳位电压
40 V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
28.35 V
脉冲峰值功率
40 W
最小反向击穿电压
25.65 V
击穿电压
25.65 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
-55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBZ27VALT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBZ27VALT3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.15 MByte

MMBZ27VALT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
40 W 40 V 表面贴装 瞬态电压抑制二极管 - SOT-23-3
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