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MMBZ33VAL
0.051
MMBZ33VAL 数据手册 (1 页)
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MMBZ33VAL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
工作电压
900 mV
封装
TO-236
针脚数
3 Position
功耗
360 mW
钳位电压
46 V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
34.65 V
脉冲峰值功率
40 W
最小反向击穿电压
31.35 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

MMBZ33VAL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.1 mm

MMBZ33VAL 数据手册

NXP(恩智浦)
1 页 / 0.04 MByte

MMBZ33 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ33VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 引脚
Diodes(美台)
稳压二极管
Nexperia(安世)
ESD 保护二极管 Nexperia MMBZ33VAL,215 单向, 40W, 46V, 3针 SOT-23封装
Nexperia(安世)
静电保护装置, TVS, 46 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 350 mW, MMBZ3 Series
ON Semiconductor(安森美)
MMBZ27VAW: 齐纳保护,40 瓦峰值功率
NXP(恩智浦)
MMBZ 系列、低电容双路 ESD 保护二极管单向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,共阳极配置,采用 SOT23 (TO-236AB) 小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装。### 瞬态电压抑制器,NXP
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, 单向, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 引脚
NXP(恩智浦)
MMBZ33 系列 33 V 双 ESD保护 二极管 - SOT23
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