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MMBZ9V1AL,215
0.051
MMBZ9V1AL,215 数据手册 (17 页)
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MMBZ9V1AL,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
电容
200 pF
封装
SOT-23-3
功耗
360 mW
钳位电压
14 V
脉冲峰值功率
24 W
最小反向击穿电压
8.65 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
360 mW

MMBZ9V1AL,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TA)

MMBZ9V1AL,215 数据手册

NXP(恩智浦)
17 页 / 0.47 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte

MMBZ9V1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ9V1ALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 6 V, 14 V, SOT-23, 3 引脚
Diodes(美台)
MMBZ9V1AL 系列 24 W 功率 双 表面贴装 单向 TVS 二极管 - SOT-23
Nexperia(安世)
ESD 保护二极管 Nexperia MMBZ9V1AL,215 单向, 24W, 14V, 3针 SOT-23封装
ON Semiconductor(安森美)
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
NXP(恩智浦)
MMBZ10VAL 系列 6 V 155 pF 单向 双通道 ESD 保护 二极管 - SOT23
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, 单向, 6 V, 14 V, SOT-23, 3 引脚
Diodes(美台)
Nexperia(安世)
MMBZ 系列,低电容双路 ESD 保护二极管,Nexperia单向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,共阳极配置,采用 SOT23 (TO-236AB) 小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装。### 瞬态电压抑制器,Nexperia
NXP(恩智浦)
NXP  MMBZ9V1AL  静电保护装置, TVS, 14 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mW
ON Semiconductor(安森美)
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