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MRF151G
132.375
MRF151G 数据手册 (6 页)
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MRF151G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Flange
频率
175 MHz
引脚数
5 Pin
额定电流
40 A
封装
375-04
功耗
500 W
漏源击穿电压
125V (min)
输出功率
300 W
增益
16 dB
测试电流
500 mA
输入电容值(Ciss)
350pF @50V(Vds)
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
500000 mW
额定电压
125 V

MRF151G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray

MRF151G 数据手册

M/A-Com
6 页 / 0.27 MByte
M/A-Com
10 页 / 0.85 MByte

MRF151 数据手册

M/A-Com
射频功率场效应晶体管150 W, 50 V, 175 MHz的N沟道MOSFET宽带 RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
Motorola(摩托罗拉)
NXP(恩智浦)
NXP  MRF1513NT1  晶体管, 射频FET, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5
NXP(恩智浦)
晶体管, 射频FET, 40 V, 4 A, 62.5 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5
Freescale(飞思卡尔)
NXP(恩智浦)
M/A-Com
N沟道宽带射频功率MOSFET N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
NXP(恩智浦)
M/A-Com
射频MOSFET行射频功率场效应晶体管N沟道增强型MOSFET The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
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