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MTB30P06V
0.5
MTB30P06V 数据手册 (8 页)
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MTB30P06V 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
30A

MTB30P06V 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

MTB30P06V 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.22 MByte

MTB30P06 数据手册

Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 30安培, 60伏P沟道D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 30安培, 60伏P沟道D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 30安培, 60伏P沟道D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK
Motorola(摩托罗拉)
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