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MTB50P03HDL
3.714
MTB50P03HDL 数据手册 (12 页)
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MTB50P03HDL 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
功耗
125 W
上升时间
340 ns
下降时间
218 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

MTB50P03HDL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

MTB50P03HDL 数据手册

Motorola(摩托罗拉)
12 页 / 0.17 MByte

MTB50P03 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MTB50P03HDLT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK
ON Semiconductor(安森美)
-50A,-30V,P沟道功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 50安培, 30伏特,逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAK
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 50安培, 30伏特,逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAK
Motorola(摩托罗拉)
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