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MTB50P03HDLG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

-50A,-30V,P沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MTB50P03HDLG 数据手册 (9 页)

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封装尺寸在8 页

MTB50P03HDLG 数据手册 (9 页)

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MTB50P03HDLG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-50.0 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

25.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

2.5W (Ta), 125W (Tc)

输入电容

4.90 nF

栅电荷

100 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

50.0 A

上升时间

340 ns

输入电容值(Ciss)

4900pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

218 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

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MTB50P03HDLG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MTB50P03HDLG 符合标准

MTB50P03HDLG 海关信息

MTB50P03HDLG 概述

MTB50P03HDLG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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