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MTD10N10ELT4 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

TMOS E- FET功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MTD10N10ELT4 数据手册 (7 页)

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MTD10N10ELT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

10.0 A

封装

TO-252-3

功耗

1.75W (Ta), 40W (Tc)

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A

上升时间

74.0 ns

输入电容值(Ciss)

1040pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.75 W

耗散功率(Max)

1.75W (Ta), 40W (Tc)

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MTD10N10ELT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MTD10N10ELT4 符合标准

MTD10N10ELT4 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.08 MByte

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