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MTD6N20E 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

DPAK-252

描述:

功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MTD6N20E 数据手册 (9 页)

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MTD6N20E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

DPAK-252

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

29 ns

输入电容值(Ciss)

342pF @25V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50000 mW

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MTD6N20E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

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MTD6N20E 符合标准

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