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MTD6N20ET4 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MTD6N20ET4 数据手册 (9 页)

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MTD6N20ET4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

6.00 A

封装

TO-252-3

漏源极电阻

460 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.75W (Ta), 50W (Tc)

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

上升时间

29.0 ns

输入电容值(Ciss)

480pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.75 W

耗散功率(Max)

1.75W (Ta), 50W (Tc)

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MTD6N20ET4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MTD6N20ET4 符合标准

MTD6N20ET4 海关信息

MTD6N20ET4 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.14 MByte

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