￥ 1.841

MTP12P10G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

-12A,-100V,P沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MTP12P10G 数据手册 (6 页)

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MTP12P10G 数据手册 (6 页)

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MTP12P10G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-100 V

额定电流

-12.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

300 mΩ

极性

P-Channel

功耗

75W (Tc)

输入电容

920 pF

栅电荷

50.0 nC

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

输入电容值(Ciss)

920pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

75 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

75W (Tc)

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MTP12P10G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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MTP12P10G 符合标准

MTP12P10G 海关信息

MTP12P10G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.07 MByte

MTP12P10G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.08 MByte

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