￥ 1.456

MTP50P03HDLG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

P沟道TO-220AB-3封装场效应管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MTP50P03HDLG 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MTP50P03HDLG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-50.0 A

封装

TO-220-3

额定功率

125 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.025 Ω

极性

P-Channel

功耗

125 W

阈值电压

1.5 V

输入电容

3500pF @25V

栅电荷

100 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

50.0 A

上升时间

340 ns

输入电容值(Ciss)

4900pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

218 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

查看数据手册 >

MTP50P03HDLG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.28 mm

高度

14.48 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

MTP50P03HDLG 符合标准

MTP50P03HDLG 海关信息