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MUN2114T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MUN2114T1G 数据手册 (12 页)

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MUN2114T1G 数据手册 (12 页)

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MUN2114T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-50.0 V

额定电流

-100 mA

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

极性

PNP

功耗

338 mW

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

230 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

338 mW

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MUN2114T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.5 mm

高度

1.09 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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MUN2114T1G 符合标准

MUN2114T1G 海关信息

MUN2114T1G 概述

MUN2114T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.1 MByte

MUN2114T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

39 页 / 2.8 MByte

MUN2114T1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.05 MByte

MUN2114T1G 产品手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.1 MByte

MUN2114T1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

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