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器件3D模型
¥ 0.007
MUN2131T1G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
双极性晶体管
封装:
SC-59
描述:
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
MUN2131T1G 数据手册 (11 页)
引脚图
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MUN2131T1G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SC-59
无卤素状态
Halogen Free
极性
PNP
功耗
338 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
338 mW
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MUN2131T1G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
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MUN2131T1G 符合标准
MUN2131T1G 海关信息
MUN2131T1G 概述
●
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59
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