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MUN2214T1
0.02
MUN2214T1 数据手册 (18 页)
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MUN2214T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
230 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数
80
额定功率(Max)
338 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

MUN2214T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.5 mm
高度
1.09 mm

MUN2214T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
16 页 / 0.11 MByte

MUN2214 数据手册

Weitron Technology
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
ON Semiconductor(安森美)
MUN2214T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 47k 增益80-140 SOT-23/SC-59 marking/标记 8D ESD保护
ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
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